pc dram 文章進(jìn)入pc dram技術(shù)社區(qū)

英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)報(bào)道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計(jì)劃于2027年完成原型開發(fā)并評(píng)估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計(jì)工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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Microsoft希望各USB-C版本在所有PC上都能一致地工作

自從 USB Implementers Forum 技術(shù)演示以來，我們一直在介紹小型、可逆的 USB Type-C 連接器，從那時(shí)起的十多年里，該端口逐漸風(fēng)靡全球。它逐漸從筆記本電腦遷移到游戲機(jī)、PC 配件、Android 手機(jī)、電子閱讀器和 iPhone。盡管存在一些問題和缺點(diǎn)，但與十年前相比，我們更接近于一個(gè)可以做所有事情的單一連接器。但其中一些困惑仍然存在。USB-C 從一開始就內(nèi)置的一個(gè)弱點(diǎn)是，物理連接器的規(guī)格總是與 USB 協(xié)議本身的規(guī)格（即給定端口能夠達(dá)到的數(shù)據(jù)傳輸速度）、用于充電的
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三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組

據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計(jì)劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計(jì)在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動(dòng)業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
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DDR5上升趨勢放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告，DRAM 方面，DDR5 價(jià)格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計(jì) 25 年第三季度整體 DRAM 價(jià)格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價(jià)格在 2 月下旬以來上漲后已達(dá)到相對較高的水平，購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會(huì)出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價(jià)格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)相當(dāng)高，在某些情況下甚至高于合同價(jià)格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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傳英特爾考慮剝離網(wǎng)絡(luò)和邊緣業(yè)務(wù)，以專注于PC和數(shù)據(jù)中心

據(jù)路透社報(bào)道，據(jù)報(bào)道，英特爾正在考慮剝離其網(wǎng)絡(luò)和邊緣業(yè)務(wù)組（NEX），以專注于 PC 和數(shù)據(jù)中心。計(jì)劃包括出售該部門并將其與另一家公司合作。據(jù)說英特爾已經(jīng)與其他公司談過這個(gè)計(jì)劃。4 月，它以 87.5 億美元的價(jià)格將 Altera 51% 的股份出售給 Silver Lake。之前的合作伙伴關(guān)系銷售是與投資公司 Apollo 進(jìn)行的，Apollo 斥資 110 億美元收購了英特爾在愛爾蘭的 Fab 34 49% 的股份，另一家是英特爾將其 IMS 納米制造業(yè)務(wù) 20% 的股份出售給貝恩資本據(jù)說英特爾已經(jīng)
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華為發(fā)布可折疊PC：全球最大雙層OLED顯示屏

5月19日下午，華為召開新品發(fā)布會(huì)，其中最重磅的產(chǎn)品當(dāng)然是形態(tài)頗為另類的 —— MateBook Fold折疊電腦，有32GB+1TB和32GB+1TB兩個(gè)版本，售價(jià)分別為23999元和26999元。超大折MateBook Fold華為MateBook Fold采用了全球最大的雙層OLED顯示屏，也是行業(yè)中首次采用LTPO技術(shù)的電腦顯示屏，支持自適應(yīng)刷新率。這塊屏幕HDR峰值亮度為1600nits，分辨率為3.3K。屏幕展開后屏幕尺寸為18英寸，比例為4:3 ，折疊狀態(tài)下尺寸為13英寸，比例為3:2，整機(jī)
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Rambus推出下一代內(nèi)存模塊，提升AI PC性能

5 月 14 日，Rambus 宣布推出專為客戶端芯片組設(shè)計(jì)的下一代 AI PC 內(nèi)存模塊的完整陣容。這包括兩個(gè)為客戶端計(jì)算量身定制的新型電源管理 IC （PMIC）：用于 LPDDR5 CAMM2 （LPCAMM2）內(nèi)存模塊的 PMIC5200 和用于 DDR5 CSODIMM 和 CUDIMM 內(nèi)存模塊的 PMIC5120。PMIC5200 針對 LPDDR 電源軌進(jìn)行了優(yōu)化，可提供出色的電源轉(zhuǎn)換精度和效率。PMIC5120 目前支持高達(dá) 7200 MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，并且旨在在未來擴(kuò)展到更高
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Rambus推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的業(yè)界領(lǐng)先客戶端芯片組

作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布推出面向下一代人工智能（AI）個(gè)人電腦（ PC）內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組，包含兩款用于客戶端計(jì)算的全新電源管理芯片（PMIC）。PMIC是實(shí)現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵，能夠?yàn)橄冗M(jìn)的計(jì)算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。這兩款業(yè)界領(lǐng)先的全新Rambus PMIC分別是適用于LPDDR5 CAMM2（LPCAMM2）內(nèi)存模塊的PMIC5200，以及適用于DDR5 CSODIMM和CUDIMM的PMIC
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器（1T1C）和三個(gè)晶體管、零電容器（3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
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三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%

在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據(jù)韓國 Etnews 報(bào)道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價(jià)格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報(bào)告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價(jià)條款，已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí)，該報(bào)告補(bǔ)充說，DDR5 價(jià)格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖?，Etnews 表示，由于 DRAM 價(jià)格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預(yù)計(jì)將在一段時(shí)間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
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Vishay推出通過AEC-Q200認(rèn)證的新款厚膜功率電阻器可選配NTC熱敏電阻和PC-TIM

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款通過AEC-Q200認(rèn)證、采用緊湊型薄形SOT-227封裝并可安裝在散熱片上的全新厚膜功率電阻器---ISOA200。Vishay MCB ISOA200可選配用于內(nèi)部溫度監(jiān)測的NTC熱敏電阻和用于更高效安裝的預(yù)涂相變熱接口材料（PC-TIM），在80°C底殼溫度下可提供高脈沖處理能力和高達(dá)200W的高功率耗散。日前發(fā)布的器件采用裸露鋁襯底取代金屬片，可用作預(yù)充電、放電、主動(dòng)放電或緩沖電阻，降低汽車、工業(yè)和航空航天等應(yīng)用的
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英偉達(dá)和聯(lián)發(fā)科技可能會(huì)在 Computex 上推出聯(lián)合開發(fā)的適用于 Windows PC 的“N1”Arm 芯片

據(jù) ComputerBase 稱，英偉達(dá)和聯(lián)發(fā)科預(yù)計(jì)將在 2025 年臺(tái)北國際電腦展上推出他們聯(lián)合開發(fā)的基于 Arm 的 PC 處理器。即將推出的芯片 N1X 和 N1 針對臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦，標(biāo)志著 Nvidia 更深入地進(jìn)入 Windows-on-Arm 生態(tài)系統(tǒng)。然而，由于未解決的技術(shù)障礙，零售可用性可能會(huì)推遲到 2026 年，Heise 援引 SemiAccurate 的話說。兩家公司的首席執(zhí)行官 — 英偉達(dá)的黃仁勛和聯(lián)發(fā)科技的 Rick Tsai
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撐不住, SK海力士DRAM漲12%

全球存儲(chǔ)器市場近期出現(xiàn)顯著價(jià)格上漲，消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)攀升。根據(jù)最新市場動(dòng)態(tài)，SK海力士消費(fèi)級(jí)DRAM顆粒價(jià)格已上漲約12%，落實(shí)先前市場的漲價(jià)傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價(jià)格上調(diào)通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產(chǎn)品實(shí)施價(jià)格調(diào)整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲(chǔ)器價(jià)格近期上漲主要受到全球供應(yīng)鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運(yùn)算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續(xù)推動(dòng)了對高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，存儲(chǔ)器國際大廠集中資源，生
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三星電子將引入VCT技術(shù)，未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品

據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計(jì)劃在第7代10nm級(jí)DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在未來2到3年內(nèi)問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時(shí)，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團(tuán)隊(duì)并入1d nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲(chǔ)
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英特爾AI PC 芯片賣得并不好，上一代Raptor Lake芯片廣受歡迎

英特爾的日子已經(jīng)很艱難，但現(xiàn)在事實(shí)證明，其新的、大力推廣的 AI PC 芯片的銷售不如預(yù)期，從而造成其舊芯片的產(chǎn)能短缺。該消息發(fā)布之際，首席執(zhí)行官宣布即將裁員，糟糕的財(cái)務(wù)報(bào)告導(dǎo)致公司股價(jià)暴跌。英特爾表示，其客戶正在購買更便宜的上一代 Raptor Lake 芯片，而不是新的、價(jià)格更高的 AI PC 型號(hào)，如用于筆記本電腦的 Lunar Lake 和 Meteor Lake 芯片。在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，英特爾宣布，其“英特爾 7”工藝節(jié)點(diǎn)目前面臨產(chǎn)能短缺，該公司預(yù)計(jì)這種短
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