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CPU迭代還能再帶動(dòng)PC換機(jī)潮? 宏碁陳俊圣坦言「已成追憶」

  • 宏碁董事長(zhǎng)暨執(zhí)行長(zhǎng)陳俊圣指出,2025年上半,美國(guó)對(duì)等關(guān)稅影響較大,現(xiàn)在影響已經(jīng)鈍化,從歐洲開始,有回溫跡象,然對(duì)PC品牌廠來(lái)說(shuō),作難度卻有增無(wú)減,因過(guò)去英特爾(Intel)更新處理器帶動(dòng)的換機(jī)潮,已成為歷史。陳俊圣指出,PC產(chǎn)業(yè)已經(jīng)出現(xiàn)明顯變化,以前PC產(chǎn)業(yè)會(huì)因?yàn)槊恳淮奶幚砥鞲?,出現(xiàn)換機(jī)潮,尤其是在英特爾獨(dú)大狀態(tài)下,更為明顯,如今因?yàn)樘幚砥饕l(fā)的換機(jī)潮,已經(jīng)不再,源自超微(AMD)開始將晶片委由臺(tái)積電生產(chǎn)。曾任職英特爾與臺(tái)積電高層的陳俊圣分析,過(guò)去英特爾每一次改朝換代,都會(huì)引發(fā)PC換機(jī)潮,英特爾每年
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2025年第二季度DRAM營(yíng)收增長(zhǎng),SK海力士蟬聯(lián)第一

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,2025年第二季度,全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)到316.3億美元,相比第一季度增長(zhǎng)了17.1%。這一增長(zhǎng)主要得益于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)的上漲以及出貨量的顯著提升,同時(shí)HBM出貨規(guī)模的擴(kuò)大也起到了推動(dòng)作用。集邦咨詢分析稱,PC OEM、智能手機(jī)以及CSP廠商的采購(gòu)需求逐步回升,推動(dòng)DRAM原廠加速去庫(kù)存化,多數(shù)產(chǎn)品的合約價(jià)已止跌回升。在廠商排名方面,SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現(xiàn)相對(duì)平穩(wěn),其售價(jià)和位元出貨量均
  • 關(guān)鍵字: DRAM  SK海力士  

內(nèi)存巨頭,脆弱的鏈接:韓國(guó)對(duì)日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

  • 根據(jù) ZDNet 的報(bào)道,韓國(guó)可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先,但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話警告說(shuō),除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn),否則這種依賴可能會(huì)成為韓國(guó)在人工智能和 HBM 競(jìng)賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險(xiǎn)。報(bào)告指出,在 SK 海力士的 HBM 價(jià)值鏈中,超細(xì) TSV(硅通孔)堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報(bào)告強(qiáng)調(diào),用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限,本地化進(jìn)展緩慢。此外,SK
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實(shí)現(xiàn)120層堆疊,下一代3D DRAM將問(wèn)世

  • 高密度 3D DRAM 可能即將到來(lái)。
  • 關(guān)鍵字: 3D DRAM  

2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)分析

  • 在AI需求爆發(fā)與高價(jià)值產(chǎn)品滲透的雙重推動(dòng)下,2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù),二季度市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)20%至321.01億美元,同比增長(zhǎng)37%,創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中,SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢(shì),二季度DRAM銷售收入達(dá)122.71億美元,環(huán)比增長(zhǎng)25.1%,市場(chǎng)份額提升至38.2%,連續(xù)第二個(gè)季度穩(wěn)居全球第一,并進(jìn)一步拉開與三星的差距。· 三星以107.58億美元收入位列第二,環(huán)比增長(zhǎng)13%,市場(chǎng)份額33.5%;· 美光科技收入70.71億
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SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來(lái)DRAM技術(shù)路線圖

  • SK海力士公司今天宣布,在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會(huì)上,該公司提出了未來(lái)30年的DRAM新技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術(shù)官(CTO)車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動(dòng)DRAM技術(shù)創(chuàng)新:邁向可持續(xù)未來(lái)”的全體會(huì)議。首席技術(shù)官 Cha 在演講中解釋說(shuō),通過(guò)當(dāng)前的技術(shù)平臺(tái)擴(kuò)展來(lái)提高性能和容量變得越來(lái)越困難?!盀榱丝朔@些限制,SK海力士將在結(jié)構(gòu)、材料和組件方面進(jìn)行創(chuàng)新,將4F2 VG(垂直門)平臺(tái)和3D DRAM技術(shù)應(yīng)用于10納米級(jí)或以下的技術(shù)。4F2 VG平臺(tái)是下一代
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專為AI PC應(yīng)用打造,格科推出高性能圖像傳感器GC5605

  •   格科GalaxyCore正式推出高性能500萬(wàn)像素圖像傳感器GC5605。該產(chǎn)品專為AI PC應(yīng)用打造,具備高分辨率、高動(dòng)態(tài)、超低功耗三大特性,助力AI PC提升視頻會(huì)議、高清拍攝等應(yīng)用場(chǎng)景的影像質(zhì)量;實(shí)現(xiàn)智能喚醒、手勢(shì)控制等更智能的人機(jī)交互。 GC5606規(guī)格參數(shù)GC5605搭載GalaxyCell?2.0工藝平臺(tái)的1.116μm像素,針對(duì)多種拍攝環(huán)境,尤其是暗光場(chǎng)景,顯著增強(qiáng)成像細(xì)節(jié)并有效降低像素暗電流,使信噪比優(yōu)于業(yè)內(nèi)同規(guī)格產(chǎn)品;搭配2888x1808高解析力,即便
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中國(guó)研究團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得新突破,基于 DRAM 原理

  • 目前,在自動(dòng)駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域,對(duì)邊緣智能硬件的需求日益增加,以在本地處理傳感器和智能設(shè)備生成的實(shí)時(shí)環(huán)境數(shù)據(jù),從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動(dòng)超低功耗邊緣智能的發(fā)展?,F(xiàn)有研究已探索具有突觸可塑性(即通過(guò)自適應(yīng)變化來(lái)增強(qiáng)或減弱突觸連接)的硬件,但要完全模擬學(xué)習(xí)和記憶過(guò)程,多種可塑性機(jī)制——包括內(nèi)在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問(wèn)題,由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬教授以及香港理工大學(xué)蔡陽(yáng)教授領(lǐng)銜的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)提出了一種
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據(jù)報(bào)道,三星在 2025 年上半年 DRAM 市場(chǎng)份額降至 33%,押注 HBM 和 DDR5 復(fù)蘇

  • 三星電子因與英偉達(dá)的 HBM3E 驗(yàn)證問(wèn)題而面臨困境,據(jù)韓國(guó)媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報(bào)道,該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報(bào)告中稱,其 DRAM 市場(chǎng)份額按價(jià)值計(jì)算在 2025 年上半年降至 32.7%,較去年的 41.5%下降了 8.8 個(gè)百分點(diǎn)。值得注意的是,《韓民族日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星的 DRAM 市場(chǎng)份額首次跌破 40%,自 2014 年以來(lái),2025 年上半年降至 32.7%,而 2016 年曾達(dá)到 48%
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  存儲(chǔ)  

英特爾生態(tài)創(chuàng)新,引領(lǐng)AI PC應(yīng)用新突破

  • AI PC應(yīng)用新突破:英特爾三大生態(tài)伙伴上線全新應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字: 英特爾生態(tài)  AI PC  

內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新:DDR4 價(jià)格下滑放緩,韓國(guó)內(nèi)存制造商引發(fā)大幅漲價(jià)

  • 根據(jù) TrendForce 最新內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告,關(guān)于 DDR4,由于兩家主要韓國(guó)供應(yīng)商對(duì)消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片實(shí)施了顯著的月度價(jià)格上調(diào),之前的價(jià)格下跌趨勢(shì)有所緩解。至于 NAND 閃存,高容量產(chǎn)品受到買方和賣方預(yù)期價(jià)格差異的限制,實(shí)際交易中變得稀缺。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格:關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價(jià)格,由于兩家主要韓國(guó)供應(yīng)商對(duì)消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片實(shí)施了大幅度的月度漲價(jià),之前的價(jià)格下跌趨勢(shì)有所緩和。目前,DDR4 市場(chǎng)顯示現(xiàn)貨價(jià)格已停止下跌,交易量有明顯增加。轉(zhuǎn)向 DDR5 產(chǎn)品,隨著合約價(jià)
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據(jù)報(bào)道,英偉達(dá)和聯(lián)發(fā)科將 N1X 處理器發(fā)布時(shí)間從 2025 年下半年推遲至 2026 年第一季度

  • 根據(jù)商業(yè)時(shí)報(bào)   和 Tom's Hardware 的報(bào)道,英偉達(dá)和聯(lián)發(fā)科的 N1X AI PC 平臺(tái)發(fā)布計(jì)劃據(jù)報(bào)道已被推遲,聯(lián)合開發(fā)的下一代處理器的發(fā)布時(shí)間已從 2025 年下半年推遲至 2026 年第一季度。如商業(yè)時(shí)報(bào)所述,N1X 是英偉達(dá)和聯(lián)發(fā)科共同開發(fā)的第一個(gè) Windows on Arm PC 處理器。據(jù)報(bào)告中引用的消息稱,N1X 是之前推出的個(gè)人 AI 超級(jí)計(jì)算機(jī) Project DIGITS(DGX Spark)中使用的 GB10 G
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DDR6 預(yù)計(jì)將于 2027 年大規(guī)模應(yīng)用,據(jù)報(bào)道內(nèi)存巨頭已最終完成原型設(shè)計(jì)

  • 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn),內(nèi)存巨頭正競(jìng)相滿足來(lái)自移動(dòng)和 AI 設(shè)備的激增需求。值得注意的是,據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時(shí)報(bào) 的報(bào)道,DDR6 預(yù)計(jì)將于 2027 年進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用。領(lǐng)先的 DRAM 制造商,包括三星、美光和 SK 海力士,已經(jīng)啟動(dòng)了 DDR6 開發(fā),重點(diǎn)關(guān)注芯片設(shè)計(jì)、控制器驗(yàn)證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時(shí)報(bào)所述,三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設(shè)計(jì),現(xiàn)在正與內(nèi)存控制器和平臺(tái)參與者如英特爾和 AMD 合作進(jìn)行接口測(cè)試。在
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中國(guó)CXMT和YMTC推動(dòng)DRAM和NAND生產(chǎn)

  • 中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技 (CXMT) 和長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技 (YMTC) 正在加強(qiáng)其在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力,在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來(lái),中國(guó)內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM 市場(chǎng)中嶄露頭角,從傳統(tǒng) DRAM 開始,在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求和政府補(bǔ)貼的推動(dòng)下,中國(guó)內(nèi)存正在提高其競(jìng)爭(zhēng)力。此外,它還對(duì)高帶寬內(nèi)存 (HBM) 和 300 層 3D NAND 閃存等先進(jìn)產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn),縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%,因 Q3 需求保持強(qiáng)勁

  • 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4,預(yù)計(jì)出貨將在 2026 年初結(jié)束,合同價(jià)格持續(xù)上漲。據(jù)中國(guó)的 華爾街見聞 報(bào)道,SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價(jià)格上調(diào)約 20%,標(biāo)志著新一輪價(jià)格上漲。這種趨勢(shì)與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng),該機(jī)構(gòu)指出,三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品,并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級(jí) DDR4 和移動(dòng) LPDDR4X。因此,據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè),2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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